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SST25VF016

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SST25VF016

SST25VF016

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发布时间:2012-11-26 22:01:07

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串行Flash ( 25 系列 )

串行Flash是用串行接口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行 flash使用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash 来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25 系列串行flash来讲,它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚 硬件兼容的特点。



重要特征

操作电压:2.7-3.6V 或者 3.0-3.6V 读和写操作

4 线串行接口结构

具有wrap-around特点的连续字节读操作

低功耗 : 7mA(典型),待机:8uA(典型)

灵活的擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力

快速擦除时间:Sector-Erase或者Block-Erase::18ms(典型)

字节编程:14us(典型)

最大操作时钟频率可达50MHz

对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程

通过WP#引脚可实现硬件写保护



Device     Density   Voltage  Clock speed (MHz)  Packages

SST25VF512 512Kb(64Kx8) 2.7-3.6V   20     SOIC-8(150mil),WSON-8

SST25VF512A 512Kb(64Kx8) 2.7-3.6V  33      SOIC-8(150mil),WSON-8

SST25VF010 1Mb(128Kx8) 2.7-3.6V  20      SOIC-8(150mil),WSON-8

SST25VF010A 1Mb(128Kx8) 2.7-3.6V   33      SOIC-8(150mil),WSON-8

SST25VF020 2Mb(256Kx8) 2.7-3.6V    20      SOIC-8(150mil),WSON-8

SST25VF020A 2Mb(256Kx8) 3.0-3.6V   33     SOIC-8(150mil),WSON-8

SST25VF040 4Mb(512Kx8) 2.7-3.6V   20       SOIC-8(200mil),WSON-8

SST25VF040A 4Mb(512Kx8) 3.0-3.6V   33      SOIC-8(200mil),WSON-8

SST25VF040B 4Mb(512Kx8) 2.7-3.6V    50     SOIC-8(200mil),WSON-8

SST25VF080B 8Mb(1Mx8) 2.7-3.6V   50      SOIC-8(200mil),WSON-8

SST25VF016B 16Mb(2Mx8) 2.7-3.6V    50      SOIC-8(200mil),WSON-8

SST25VF032B 32Mb(4Mx8) 2.7-3.6V   50    SOIC-8(200mil),SOIC-16(300mil)

SST25VF064C 64Mb(8Mx8) 2.7-3.6V   50      SOIC-16(300mil)

SST25VF128C 128Mb(16Mx8) 2.7-3.6V    50      SOIC-16(300mil)
http://product.yktchina.com/2012-11/8d1f63df2adf312a.html
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